氧化鋁具有優(yōu)良的絕緣和阻氚性能,是ITER候選功能材料之一。北京耐默公司采用射頻磁控濺射法在金屬基底上制備了氧化鋁陶瓷涂層。

分別采用掠人射X射線衍射、Raman激光光.譜和原子力顯微鏡對氧化鋁陶瓷涂層的結構和表面形貌進行了表征;測量了氧化鋁陶瓷涂層體電阻率;研究了氧化鋁陶瓷涂層樣品的吸氫特性。

結果表明:氧氬比為0.1和0.5下制備的氧化鋁陶瓷涂層為非晶結構，氧氬比為0.4下制備的涂層中出現(xiàn)了結晶程度較差的氧化鋁δ相結構;氧氬比為0.1和0.4下制備的涂層粗糙度和粒徑均小于氧氬比為0.5下制備的涂層;不同氧氬比下制備的氧化鋁涂層體電阻率均超過2. 7X10l4 n. cm,氧氬比為0.4下制備的涂層電阻率最高,達到2.1X1015 n. cm;氧氬比為0.5下制備的涂層樣品具有最低的吸氫量。氧氬比對陶瓷涂層的電絕緣特性和吸氫特性有顯著影響。